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三星将推出176层V-NAND闪存的PCI-E 4.0/5.0存储设备

查尔 装机配置 2021-06-09 15:11:18
 

三星在2013年推出了第一款量产的3D NAND存储器,称为V-NAND,并因此领先于竞争对手。三星是从24层V-NAND闪存开始,逐渐积累了丰富的经验,近期有望推出搭载176层V-NAND闪存的存储设备。三星表示,未来V-NAND的层数可能会超过1000层。

据TomsHardware报道,三星计划开始生产采用第七代V-NAND技术的消费类固态硬盘,具有176层。三星表示,这是业界最小的NAND存储单元。这款新闪存将拥有2000 MT/s的数据传输速率,让三星可以构建PCI-E 4.0和PCI-E 5.0接口的超高速固态硬盘。这些存储设备将使用全新的主控芯片,会针对多任务、大工作量的负载进行优化。下一步三星会推出基于176层V-NAND闪存的数据中心级别固态硬盘,会有更强的性能和容量。

虽然176层V-NAND闪存接近量产,但三星开始开始制造采用第八代V-NAND技术的芯片样品,新一代产品会有200层。三星表示会根据市场需求决定什么时候开始批量生产,一般12至18个月会进行更新,参照这样的时间表,搭载200层V-NAND闪存的存储设备什么时候出来还是可以大概判断的。

三星和其他NAND闪存制造商在追求层数的过程中会面临几个挑战,包括NAND存储单元更小需要使用新材料或蚀刻层数越多越困难等。由于蚀刻层数增加,可能变得不可行或经济效益降低,因此制造商会使用堆叠等技术手段。

今年早些时候SK海力士表示,将按计划推进600层以上3D NAND闪存的研发,因此三星并不是唯一一个制定这方面计划的企业。


 
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